サブミクロン銅薄膜とバリアメタル界面の付着強度評価(S05-2 薄膜界面はく離・欠陥評価,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
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概要
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Thin films of barrier metals (TiN, TaN, etc.) are generally required underneath Cu line in order to obstruct Cu diffusion into adjacent dielectrics. Poor adhesion of the interface between Cu and barrier metal causes delamination and leads to deterioration of reliability. A quantitative evaluation of adhesion between Cu and barrier metals is urgently demanded from the reliability point of view. By applying a new technique developed recently by the authors, which can evaluate adhesion of thin film structure in terms of energy release rate, we investigated the interface toughness between the submicrometer Cu film and the barrier metal (TiN) in Cr/Cu/TiN/Si metallization
- 2004-09-04
著者
-
神谷 庄司
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
坂 真澄
東北大
-
神谷 庄司
名工大
-
坂 真澄
東北大学大学院
-
坂 真澄
東北大学大学院工学研究科
-
鈴木 重徳
東北大
-
山辺 基一郎
東北大
-
鈴木 重徳
東北大学院
-
山下 崇博
東北大
-
神谷 庄司
名古屋工業大学
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