920 単結晶シリコン垂直櫛形電極を用いた静電容量検出Z軸加速度センサ(GS-16 センシング,研究発表講演)
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概要
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This paper describes a differentially detecting capacitive Z-axis SOI accelerometer using a set of vertical comb electrodes. The device structure has only one silicon layer and there are no lower or upper electrodes. Z-axis acceleration was differentially detected by using a set of newly proposed vertical comb electrodes of different movable and fixed heights. The sensing area was 1.1mm×1.1mm×15μm. The performance of the accelerometer was calculated and measured experimentally to determine its linear capacitance change and voltage output against input acceleration. The measured capacitance sensitivity and its linearity were 1.1fF/G and 0.21%, respectively.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2005-03-18
著者
-
土屋 智由
(株)豊田中央研究所
-
土屋 智由
豊田中央研究所 半導体デバイス・センサ研究室
-
土屋 智由
京都大学大学院
-
土屋 智由
大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
-
土屋 智由
株式会社豊田中央研究所
-
土屋 智由
京大院
-
土屋 智由
京大
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