CVD法と熱処理で作製した多結晶Si膜の粒界物性評価
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概要
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Polycrystalline Si films are a promising structural material for microsensing devices. On its application, mechanical fatigue phenomena may be worrying in view of long-term reliability. For revealing its mechanism, it is necessary to understand the structural behavior of its correlative grain boundaries (GBs). In the present study, using a conventional admittance spectroscopic technique, we have systematically clarified the formation process and the thermally induced behavior of interface states at GBs in chemical vapor deposited amorphous Si films after thermal annealing. As an unique trial, we have also investigated the correlation between the GBs states and the mechanical properties using polycrystalline Si membranes fabricated. The results indicate that a deeper energy shift of the GBs states is caused by adding an external stress and that its quantity depends on Young’s modulus of the films. We expect that our findings contribute to the solution of fatigue problems of polycrystalline Si films in the near future.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2004-01-01
著者
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土屋 智由
(株)豊田中央研究所
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坂田 二郎
(株)豊田中央研究所
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中野 由崇
(株)豊田中央研究所
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土屋 智由
豊田中央研究所 半導体デバイス・センサ研究室
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土屋 智由
京都大学大学院
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土屋 智由
大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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土屋 智由
株式会社豊田中央研究所
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