Dislocation Reduction in MBE-Grown Ge on Si (001) by in situ Thermal Annealing : Condensed Matter

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 1988-09-20

著者

• Seki M

  Ntt Applied Electronics Laboratories:(present Address)ntt Technology Transfer Corporation

• OHMACHI Yoshiro

  NTT Optoelectronics Laboratories

• Fukuda Yukio

  Ntt Applied Electronics Laboratories

• Fukuda Yukio

  Texas Instruments Tukuba Research & Development Center Limited

• Fukuda Y

  Ntt Optoelectronics Laboratories

• Fukuda Yukio

  Tsukuba Research And Development Center Texas Instruments Japan Limited

• Ohmachi Y

  Ntt Optoelectronics Laboratories

• Ohmachi Yoshiro

  Ntt Applied Electronics Laboratories

• KOHAMA Yoshitaka

  NTT Applied Electronics Laboratories

• SEKI Masahiro

  NTT Applied Electronics Laboratories

• KOHAMA Yoshitaka

  NTT Opto-electronics Laboratories

• Seki M

  Ntt Advanced Technologies

• Fukuda Yuji

  Kansai Photon Science Institute Japan Atomic Energy Agency

• Kohama Y

  Ntt Opto-electronics Laboratories

• Fukuda Yuji

  JAEA

• Seki Masahiro

  Ntt Advanced Technology

• SEKI Masahiro

  NTT Advanced Technologies

関連論文

• 22pTJ-6 クラスターターゲットを用いたレーザー駆動イオン加速(22pTJ 領域2,ビーム物理領域合同(レーザープラズマ加速・高エネルギー密度プラズマ物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 22pTJ-6 クラスターターゲットを用いたレーザー駆動イオン加速(22pTJ 領域2,ビーム物理領域合同(レーザープラズマ加速・高エネルギー密度プラズマ物理),ビーム物理領域)
• 22pTJ-12 レーザー対向入射型相対論的飛翔鏡によるXUV光発生(II)(22pTJ 領域2,ビーム物理領域合同(レーザープラズマ加速・高エネルギー密度プラズマ物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 22pTJ-11 レーザー対向入射型相対論的飛翔鏡によるXUV光発生(I)(22pTJ 領域2,ビーム物理領域合同(レーザープラズマ加速・高エネルギー密度プラズマ物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 22pTJ-12 レーザー対向入射型相対論的飛翔鏡によるXUV光発生(II)(22pTJ 領域2,ビーム物理領域合同(レーザープラズマ加速・高エネルギー密度プラズマ物理),ビーム物理領域)
• 22pTJ-11 レーザー対向入射型相対論的飛翔鏡によるXUV光発生(I)(22pTJ 領域2,ビーム物理領域合同(レーザープラズマ加速・高エネルギー密度プラズマ物理),ビーム物理領域)
• 28aZB-5 レーザー・プラズマ相互作用により生成されるソリトンからの電磁放射の検出(28aZB ビーム物理,領域2合同セッション(高エネルギー密度プラズマと量子ビーム相互作用),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 26pYP-3 クーロン爆縮によるレーザープラズマからの負イオン加速(プラズマ科学(高エネルギー密度プラズマ・その他),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
• 29pSA-12 光電離過程を取り入れた短波長レーザーとクラスターとの相互作用(II)(29pSA プラズマ宇宙物理(粒子加速,加熱,相対論プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• X-Ray Standing Wave Analysis of GaAs/Si Interface
• X-Ray Standing Wave Analysis of Al/GaAs/Si(111)
• EUV-FEL用高感度・高分解能・広視野な画像検出器の研究開発
• Intense and reproducible Kα emissions from micron-sized Kr cluster target irradiated with intense femtosecond laser pulses
• Double-Pass Amplification in Ge Soft X-Ray Laser with a Polarizing Half-Cavity
• Generation of Misfit Dislocations in Si_Ge_x/Si Heterostructures
• Dislocation Reduction in MBE-Grown Ge on Si (001) by in situ Thermal Annealing : Condensed Matter
• Misfit Dislocation Structures at MBE-Grown Si_Ge_x/Si Interfaces : Surfaces, Interfaces and Films
• Control of Crystalline Structure and Electrical Properties of TaSiN Thin Film Formed by Reactive RF-Sputtering
• Observation of ultrafast spin-lattice relaxation in Tm2+-doped CaF2 and SrF2 crystals by optical means
• TEM Moire Pattern and Scanning Auger Electron Microscope Analysis of Anomalous Si Incorporation into MBE-grown Ge on Si(111)
• Using Carbon Tetrachloride for Carbon Doping Al_xGa_AS Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
• Method of observing the spot where full-power counter-propagating laser pulses collide in plasma media
• Tracer for Ultrasonic Flow Visualization of Water/Solid Microparticle Suspension
• Normal Incidence Multilayer Mirrors for Soft X-Rays (光学薄膜特集号)
• Optical Design for Soft X-Ray Projection Lithography : X-Ray Lithography
• 0.85-μm Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Array Grown on GaAs and AlGaAs Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
• Optical Design for Soft X-Ray Projection Lithography
• Influence of the Relaxation Current in Ba_xSr_lt(1-x)gtTiO_3 Thin Film Capacitors on DRAM Operation
• Effects of Postannealing in Oxygen Ambient on Leakage Properties of (Ba, Sr)TiO_3 Thin-Film Capacitors
• Dielectric Properties of (Ba, Sr)TiO_3 Thin Films and their Correlation with Oxygen Vacancy Density
• Characterization of a Sol-Get Derived Pb(Zr, Ti)0_3 Thin-Film Capacitor with Polycrystalline SrRu0_3 Electrodes
• Effects of Excess Pb and Substrate on Crystallization Processes of Amorphous Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering
• The Effects of La and Nb Modification on Fatigue and Retention Properties of Pb(Ti, Zr)O_3 Thin-Film Capacitors
• DLTS Measurement on Electron-Irradiated GaAs-on-Si
• Dislocation Reduction in GaAs on Si by Thermal Cycles and InGaAs/GaAs Strained-Layer Superlattices
• Material Quality in GaAs-on-Si Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
• Domain Structures of As-Adsorbed Si(100) Surface and GaAs Overlayer
• Growth of GaAs on Si Substrates by Metalorganic MBE Using Triethylgallium and Arsenic
• RHEED Intensity Observation during TEGa-As_4 Alternate Supply Growth of GaAs : Special Section : Solid State Devices and Materials 2 : III-V Compound Semiconductors Devices and Materials
• Initial Stages of Epitaxial Growth of GaP on Si with AsH_3 Preflow
• Growth and Characterization of GaAs layers Grown on Ge/Si Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition : Condensed matter
• Temperature Dependence of TaSiN Thin Film Resistivity from Room Temperature to 900℃ : Semiconductors
• Control of Grain Structure of Sputtering Lead-Zirconate-Titanate Thin Film Using Amorphous Lead-Titanate Buffer Layer
• Characterization of Sputtered Lead-Zirconate-Titanate Thin Films with Various Compositions
• Recovery of the Ferroelectric Properties of Hydrogen-Damaged Ir/Pb(Zr,Ti)O3/Ir Capacitors by Post Annealing
• Characterization of Switching Properties of Lead-Zirconate-Titanate Thin Films in Ti-Rich Phase
• Critical Thickness for the Si_Ge_x/Si Heterostructure
• Nonadherence to the conventional group velocity for nanosecond light pulses in Rb vapor
• Formation and Properties of Ferroelectric Bi_4Ti_3O_ Films by the Sol-Gel Process
• 28aGAB-3 相対論的強度のレーザープラズマ相互作用による高次高調波の観測(28aGAB ビーム物理領域,領域2合同 レーザー加速,ビーム物理領域)
• 28aGAB-3 相対論的強度のレーザープラズマ相互作用による高次高調波の観測(28aGAB ビーム物理領域,領域2合同レーザー加速,領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 28aGAB-11 原子力機構における高コントラストTi:Sapレーザーによる高エネルギーイオン発生実験の現状(28aGAB ビーム物理領域,領域2合同レーザー加速,領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 28aGAB-11 原子力機構における高コントラストTi:Sapレーザーによる高エネルギーイオン発生実験の現状(28aGAB ビーム物理領域,領域2合同 レーザー加速,ビーム物理領域)
• 28aGAB-4 高強度レーザーと薄膜ターゲットの相互作用による高速電子の計測(28aGAB ビーム物理領域,領域2合同レーザー加速,領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 28pGAB-6 放射化計測によるレーザー駆動プロトンのエネルギー測定(28pGAB 企画講演,レーザープラズマ・ビーム応用,ビーム物理領域)
• 28aGAB-4 高強度レーザーと薄膜ターゲットの相互作用による高速電子の計測(28aGAB ビーム物理領域,領域2合同 レーザー加速,ビーム物理領域)
• Metrology of Wide Field of View Nano-Thickness Foils’ Homogeneity by Conventional and Phase Contrast Soft X-ray Imaging
• Propagation of femtosecond light pulses in a dye solution : Nonadherence to the conventional group velocity
• Electron-Beam-Induced Current Observation of Misfit Dislocations at Si_Ge_x/Si Interfaces
• クラスターターゲットを用いた革新的レーザー駆動イオン加速研究における固体飛跡検出器CR-39の利用
• PADC飛跡検出器を用いた後方散乱粒子による高強度イオンビーム特性簡易診断法
• Depth-Resolved Cathodoluminescence in GaAs Epilayers Grown on Si Substrates
• InP Grown on Si Substrates with GaP Buffer Layers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク