Temperature Dependence of TaSiN Thin Film Resistivity from Room Temperature to 900℃ : Semiconductors
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概要
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The conductivity of TaSiN thin film was investigated in a wide temperature range from room temperature to 900℃, and, based on the measurement, a new model for the temperature dependence of TaSiN thin film conductivity was proposed. TaSiN thin films were deposited on thermally oxidized Si wafers using reactive RF cosputtering. Resistivities of the films were measured from room temperature to 900℃ by the four-contact probe method. All the films showed decreases in resistivity as temperature increased. The temperature dependence of conductivity at high temperature was described by a model with two conductors connected in parallel, one proportional to 1/T, another proportional to the Arrhenius-type thermal activation term (exp(-E/kT)).
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2001-06-15
著者
-
Aoki K
Texas Instruments Japan Ltd. Ibaraki Jpn
-
Fukuda Yukio
Texas Instruments Tukuba Research & Development Center Limited
-
Fukuda Y
Ntt Optoelectronics Laboratories
-
Fukuda Yukio
Tsukuba Research And Development Center Texas Instruments Japan Limited
-
Aoki K
Toshiba Corp. Yokohama Jpn
-
Fukuda Yuji
Kansai Photon Science Institute Japan Atomic Energy Agency
-
OIZUMI Munenori
Tsukuba Research and Development Center, Texas Instruments Japan Limited
-
AOKI Katsuhiro
Tsukuba Research and Development Center, Texas Instruments Japan Limited
-
Fukuda Yuji
JAEA
-
Oizumi Munenori
Tsukuba Research And Development Center Texas Instruments Japan Limited
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