Critical Thickness for the Si_<1-x>Ge_x/Si Heterostructure

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概要

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• An energy balance theory for predicting the critical thickness of the Si_<1-x>Ge_x/ Si heterostructure is derived based on an experimentally identified dislocation generation mechanism. The theory is in close agreement with experimental results. The critical thickness predicted by this theory is about four times that by the mechanical balance theory of Matthews and Blakeslee.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1990-01-20

著者

• OHMACHI Yoshiro

  NTT Optoelectronics Laboratories

• Fukuda Yukio

  Ntt Applied Electronics Laboratories

• Fukuda Yukio

  Texas Instruments Tukuba Research & Development Center Limited

• Fukuda Y

  Ntt Optoelectronics Laboratories

• Fukuda Yukio

  Tsukuba Research And Development Center Texas Instruments Japan Limited

• Ohmachi Y

  Ntt Optoelectronics Laboratories

• Ohmachi Yoshiro

  Ntt Applied Electronics Laboratories

• KOHAMA Yoshitaka

  NTT Applied Electronics Laboratories

• KOHAMA Yoshitaka

  NTT Opto-electronics Laboratories

• Fukuda Yuji

  Kansai Photon Science Institute Japan Atomic Energy Agency

• Kohama Y

  Ntt Opto-electronics Laboratories

• Fukuda Yuji

  JAEA

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