高速化量子分子動力学法の開発とシリコン系材料への応用
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概要
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LSIデバイスの極限的な集積化を目指して、シリコン半導体のさらなる微細化・統合化が進められている。我々は、従来の実験やマクロスケールのシミュレーションに加えて、非経験的に薄膜成長機構や電気的特性を予測できる手法の開発が、シリコン半導体のさらなる発展を支えるものと確信している。本発表では、我々の高速化量子分子動力学法の開発、特にその高速化・高精度化への取組みと、本手法をシリコン系材料の単純系から大規模系にまで適用を行ない、シリコン系材料における本手法の有効性を確認した結果について講演する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-09
著者
-
高見 誠一
東北大学大学院工学研究科
-
横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
-
今村 詮
広島国際学院大学工学部
-
今村 詮
広島国際学院大学
-
宮本 明
東北大学工学研究科
-
久保 百司
東北大学工学部分子化学工学科
-
宮本 明
東北大学工学部
-
高見 誠一
東北大学工学研究科
-
横須賀 俊之
東北大学工学研究科
-
黒川 仁
東北大学工学研究科
-
草谷 友規
東北大学工学研究科
-
鈴木 研
東北大学工学研究科
-
鈴木 研
東北大学大学院工学研究科
-
黒川 仁
東北大学大学院工学研究科
-
草谷 友規
東北大学大学院工学研究科
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