Si表面における周期的密度汎関数計算
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概要
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部分的に、あるいは完全に水素またはフッ素原子で終端されたSi(100)表面について周期的境界条件を考慮した密度汎関数計算が行われた。構造や電子的な性質が実験結果と比較された。異なる表面の性質と比較したところ、終端水素原子に対し、水素やフッ素で終端された表面におけるフッ素原子との相互作用に起因する重要な化学的変化が示された。これらの結果が、可能であると考えられる化学反応に置き換えて考察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-04-25
著者
-
宮本 明
東北大学工学研究科
-
久保 百司
東北大学工学部分子化学工学科
-
山内 亮
東北大学工学部 分子化学工学科
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
宮本 明
東北大学工学部
-
遠藤 明
東北大学工学部
-
STIRLING Andras
東北大学工学部
-
大見 忠弘
東北大学大学院工学研究科
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