Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices
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概要
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We describe progress we have achieved in the development of our quantum transport modeling for nano-scale devices. Our simulation is based upon either the non-equilibrium Green's function method (NEGF) or the quantum correction (QC) associated with density gradient method (DG) and/or effective potential method (EP). We show the results of our modeling methods applied to several devices and discuss issues faced with regards to computational time, open boundary conditions, and their relationship to self-consistent solution of the Poisson-NEGF equations. We also discuss those for efficiently tailored QC Monte Carlo techniques.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-01
著者
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Ogawa M
Kobe Univ. Kobe‐shi Jpn
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
TSUCHIYA Hideaki
Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University
-
OGAWA Matsuto
Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University
-
MIYOSHI Tanroku
Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
Ogawa Matsuto
Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University
-
Tsuchiya Hideaki
Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University
-
Miyoshi T
Graduate School Of Science And Technology Kobe University
-
Miyoshi Tanroku
Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University
-
Tsuchiya Hideaki
Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Kobe University
-
Ogawa Matsuto
Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Kobe University
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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