準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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シリコンMOSFETのナノスケール領域への微細化に伴い,準バリスティック伝導特性とヂャネルヘのキャリア注入過程の制御が重要になってきている。本稿では,量子モンテカルロシミュレーションに基づいて,ナノスケールSOI-MOSFETのキャリア量子輸送特性について検討した結果を報告する。まず,サブlOnmデバイスでは,半数以上の電子が無散乱でドレインに到達することを示す。更に,サブlOnmデバイスでゲート電極がソース及びドレイン領域上にオーバーラップする場合,そのキャリア輸送が大きく変化することを明らかにする。特に,ソース側オーバーラップによりオン電流が増大する一方,ソース側・ドレイン側の両オーバーラップによりサブスレッショルド電流が低減されることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-22
著者
-
三好 旦六
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
小川 真人
神戸大学工学部
-
堀野 元気
神戸大学工学部
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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