極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
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概要
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近年の超LSIトランジスタの微細化に伴い, 量子効果を取り入れたデバイスシミュレーションがますます重要になってきている。これまで我々は, 多次元量子デバイスシミュレーションモデルとして, 古典的ボルツマン方程式の駆動力項にポテンシャル量子補正を付け加える形の新しい量子輸送モデルを提案してきた。本稿では, 上記量子輸送モデルを極微細MOSFETの量子輸送解析に適用し, トンネル効果や量子閉じ込め効果が及ぼす影響について検討した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-26
著者
-
三好 旦六
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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