非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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デバイスサイズの縮小化がナノメータのオーダにまで進み,そのようなデバイスでの量子輸送現象を記述するには従来の有効質量近似では不十分で,より現実的なフルバンド構造を取り入れた解析が必要となりつつある。本研究では,ナノスケールn-i-nダイオード構造とダブルゲートMOSFET構造内での量子輸送現象を,現実的なフルバンド構造を取り入れた非平衡Green関数法とポアソン方程式との自己無撞着計算によって解析した結果を報告する。Siバンド構造の非放物線性と非等方性についても解析と検討を行った。その結果,従来用いられてきた有効質量近似モデルと本報告の多バンドモデルとでは極めて大きな特性の差が生じることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-19
著者
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相馬 聡文
神戸大工
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三好 旦六
神戸大学工学部
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小川 真人
神戸大学工学部
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相馬 聡文
神戸大院工
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フィトリアワン ヘルミー
神戸大学自然科学研究科
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相馬 聡文
神戸大学工学部
-
相馬 聡文
神戸院工
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