非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• デバイスサイズの縮小化がナノメータのオーダにまで進み,そのようなデバイスでの量子輸送現象を記述するには従来の有効質量近似では不十分で,より現実的なフルバンド構造を取り入れた解析が必要となりつつある。本研究では,ナノスケールn-i-nダイオード構造とダブルゲートMOSFET構造内での量子輸送現象を,現実的なフルバンド構造を取り入れた非平衡Green関数法とポアソン方程式との自己無撞着計算によって解析した結果を報告する。Siバンド構造の非放物線性と非等方性についても解析と検討を行った。その結果,従来用いられてきた有効質量近似モデルと本報告の多バンドモデルとでは極めて大きな特性の差が生じることが明らかになった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-09-19

著者

• 相馬 聡文

  神戸大工

• 三好 旦六

  神戸大学工学部

• 小川 真人

  神戸大学工学部

• 相馬 聡文

  神戸大院工

• フィトリアワン ヘルミー

  神戸大学自然科学研究科

• 相馬 聡文

  神戸大学工学部

• 相馬 聡文

  神戸院工

関連論文

• 20pPSB-52 グラフェントランジスタの輸送特性おけるグラフェン/金属接合の影響(20pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• コプレーナ導波路の新しい有限要素解析法の提案とLiNbO_3光変調器への応用
• ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 固体物理の応用 グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて--素子シミュレーションと素子作成・物性評価
• 26pPSB-56 カーボンナノチューブを用いた圧力センサーにおける電界の影響(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aXG-3 狭ギャップ半導体量子井戸構造のゼロ磁場スピン分離における界面構造と障壁材料の影響(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pPSB-16 カーボンナノチューブの輸送特性における圧力と格子欠陥の効果(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pTX-11 狭ギャップ半導体共鳴トンネル素子のスピン依存伝導における界面構造の影響(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-42 グラフェンナノリボン素子におけるスピン輸送に関する理論解析(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aRA-13 グラフェンナノリボン素子のトランジスタ特性に関する理論的研究(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aPS-71 グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 引張りひずみ量子井戸レーザにおけるTE-TMモードスイッチング
• 非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• デバイスシミュレーションのパラダイムシフト
• ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 半導体 2-II-14 Lanczos法を用いた大規模行列固有値計算--歪量子ドットの電子状態の有限要素法による解析 (日本シミュレーション学会 第20回計算電気・電子工学シンポジウム(1999年11月25日,26日)) -- (第2日目 平成11年11月26日(金))
• Nonequilibrium Quantum Transport of a Semiconductor Quantum Dot Controlled by Gate Voltage
• 31a-R-12 (775)B GaAs 基板上にMBE成長した自己形成型高密度 GaAs 量子細線の光学的特性
• 歪量子井戸レーザにおけるTE/TMモード制御
• 液晶デバイスのFDTD法によるカラーシフト評価
• 24pPSA-29 遺伝的アルゴリズムを用いた原子論的ナノ材料パラメータの探索(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 114 神戸大学工学部における工学倫理教育実施の試み(技術者教育認定関連IV,第29セッション)
• 24pPSA-21 擬スペクトル法を用いたシュレディンガー・ボアソン方程式の高精度・高効率解法(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aPS-100 光照射されたグラフェンの電子状態に関する実時間シミュレーション(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pXJ-4 Rashbaスピン軌道相互作用下のメゾスコピック多端子構造におけるスピンホール流の生成と検出(25pXJ 半導体スピン物性(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Device Simulator for III-V Heterojunction Devices Kobe University Hetero-bipolar Electron Device Analysis Program : KOHBEDAP (I)
• Characterization of Lattice Mismatched III-V Heterojunction Interface by C-V and DLTS Measurement
• グレ-デッドギャップヘテロ接合APDの解析
• 量子井戸レーザにおけるキャリア量子輸送の利得に及ぼす影響
• 23pPSB-29 グラフェンナノリボンの電気伝導における引っ張り歪みと外部電界の効果(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-28 グラフェンFETの特性における面内歪みの影響(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-29 レーザー光を用いたグラフェンの電気伝導制御に関するシミュレーション(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTL-12 InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-11 InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aBC-6 強磁性絶緑体を用いたジョセフソンπ接合の理論(25aBC 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 27aSB-3 グラフェンナノリボンにおけるスピンポンプ効果に関するシミュレーション(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-61 カーボンナノチューブを用いたトンネル電界効果トランジスタの特性における歪みの影響(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aSB-7 グラフェンの電気伝導におけるレーザー光照射の効果に関する量子ダイナミクスシミュレーション(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-7 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aAF-9 超伝導/強磁性絶縁体/金属接合における電子及び熱輸送(19aAF 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26pPSA-60 グラフェンの機械的変形が熱物性に与える影響(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXP-4 歪み印加グラフェンの電気伝導に関する数値シミュレーション(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSA-5 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析II(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pAW-7 対称な二重量子井戸におけるシュブニコフビーティングの解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSA-72 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク