引張りひずみ量子井戸レーザにおけるTE-TMモードスイッチング
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概要
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量子井戸半導体レーザの活性層にひずみを導入することにより,レーザ特性の機能向上が可能である.本論文では,外部電界が印加されたひずみ量子井戸レーザの価電子帯構造に関し,スピン軌道相互作用を含んだ価電子帯のバンド混合効果を考慮した多バンド有効質量理論を展開している.更に,本手法をひずみ量子井戸レーザ構造のTEおよびTMモードの利得計算に適用し検討を行い,その結果,軽度の引張りひずみを導入した系では,外部電界による誘導放出光のTEモードからTMモードへのスイッチング動作が室温で可能であることを明らかにしている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-01-25
著者
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