モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ナノスケールに微細化された半導体デバイスでは,キャリア輸送の量子力学的効果が重要な役割を果たす。本稿では,キャリア輸送モデリングにおける量子力学的補正について,密度勾配モデルと有効ポテンシャルモデルを取り上げ,モンテカルロシミュレーションへの適用結果を基に,両モデルの妥当性並びに長所と短所を検証する。さらに,両モデルを結合させた新しい手法を提案し,ナノスケールMOSFETへの適用を試みる。シリコンの伝導帯バンド構造の異方性を考慮した反転層キャリアの量子閉じ込め効果や,ゲート酸化膜内へのキャリア滲み出し効果等の計算例を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-23
著者
-
三好 旦六
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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