土屋 英昭 | 神戸大学大学院工学研究科:jst Crest

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概要

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• 同名の論文著者
• 神戸大学大学院工学研究科:jst Crestの論文著者

関連著者

• 土屋 英昭

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• Tsuchiya Hajime

  Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo

• 土屋 英昭

  神戸大学大学院工学研究科:jst Crest

• Tsuchiya H

  Toshiba Corp. Kawasaki Jpn

• 三好 旦六

  神戸大学工学部

• 土屋 英昭

  神戸大学工学部

• 土屋 英昭

  神戸大学大学院工学研究科

• 藤井 一也

  神戸大学工学部

• 堀野 元気

  神戸大学工学部

• 森 隆志

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 小川 真人

  神戸大学大学院工学研究科

• 小田 梓

  神戸大学工学部

• 小川 真人

  神戸大学工学部

• Ogawa M

  Kobe Univ. Kobe‐shi Jpn

• 森 隆志

  神戸大学工学部

• 淺沼 昭彦

  神戸大学工学部

• TSUCHIYA Hideaki

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• OGAWA Matsuto

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• MIYOSHI Tanroku

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• 東 祐介

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 土屋 英昭

  神戸大学 工学部 電気電子工学科

• ウィンステッド ブライアン

  イリノイ州立大学アーバナシャンペイン校 ベックマン研究所

• ラバイオリ ウンベルト

  イリノイ州立大学アーバナシャンペイン校 ベックマン研究所

• Ogawa Matsuto

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Tsuchiya Hideaki

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Miyoshi T

  Graduate School Of Science And Technology Kobe University

• Miyoshi Tanroku

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Tsuchiya Hideaki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Kobe University

• Ogawa Matsuto

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Kobe University

• 前川 忠史

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 山内 恒毅

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 原 孟史

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 山田 吉宏

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• Wang Zhong

  神戸大学自然科学研究科

• 三好 旦六

  神戸大学自然科学研究科

• Wang Z

  神戸大学自然科学研究科

• 木場 隼介

  神戸大学大学院工学研究科

• 滝口 直也

  神戸大学大学院工学研究科

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著作論文

• シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• Nonequilibrium Quantum Transport of a Semiconductor Quantum Dot Controlled by Gate Voltage
• 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices
• 量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション
• 量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション
• Static and Dynamic Electron Transport in Resonant-Tunneling Diodes
• 量子井戸レーザにおけるキャリア量子輸送の利得に及ぼす影響
• 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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