量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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近年,極微細n-チャネルMOSFETの電流駆動力を向上させるために,GeやIII-V族化合物半導体等の高移動度チャネル材料の導入が検討されている。これらの新材料MOSFETのデバイス性能を予測するには,バルク移動度を用いた単純な比較だけでは不十分であり,材料の持つバレー構造や散乱の影響に加え,量子閉じ込め効果による反転層広がりなどを考慮した解析が重要である。本稿では,量子補正モンテカルロ法を用いて非Si材料MOSFETの電流駆動力を評価し,従来のSi MOSFETとの比較を行った結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-23
著者
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
森 隆志
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
東 祐介
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科
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