ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ITRSロードマップが要求するMOSFETの電流駆動力の向上率を達成するためには,ひずみシリコンやゲルマニウム等の新材料の導入に加え,バリスティック輸送効果を利用したキャリア速度の増大が必要になると考えられている.本稿では,量子補正を取り入れたモンテカルロ・デバイスシミュレーションを用いて,擬似バリスティック輸送下でのMOSFETの電流駆動力について検討した結果を報告する.その結果,チャネル長が数10ナノメートル以下にまで縮小された場合,バリスティックキャリアの増加により,電流駆動力が向上することが分かった.しかし擬似バリスティック輸送状態では,チャネル内のキャリアエネルギーが上昇してキャリアは逆に散乱されやすくなるために,電流駆動力の向上率は比較的低く抑えられる結果となっている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-09-21
著者
-
三好 旦六
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
堀野 元気
神戸大学工学部
-
淺沼 昭彦
神戸大学工学部
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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