Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
• 2003-12-15

著者

• 土屋 英昭

  神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• Ogawa M

  Kobe Univ. Kobe‐shi Jpn

• TSUCHIYA Hideaki

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• OGAWA Matsuto

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• MIYOSHI Tanroku

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• HORINO Motoki

  Department of Electrical and Electronics Engineering, Kobe University

• Ogawa Matsuto

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Tsuchiya Hideaki

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Miyoshi T

  Graduate School Of Science And Technology Kobe University

• Miyoshi Tanroku

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Horino Motoki

  Department Of Electrical And Electronics Engineering Kobe University

• Tsuchiya Hideaki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Kobe University

• Ogawa Matsuto

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Kobe University

関連論文

• シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• 準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
• Nonequilibrium Quantum Transport of a Semiconductor Quantum Dot Controlled by Gate Voltage
• Simulation of Multi-Band Quantum Transport Reflecting Realistic Band Structure
• Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Quantum Transport Simulation of Ultrathin and Ultrashort Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices
• 量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション
• 量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション
• Static and Dynamic Electron Transport in Resonant-Tunneling Diodes
• Wigner Function Formulation of Quantum Transport in Electron Waveguides and Its Application
• Fullband Simulation of Nano-Scale MOSFETs Based on a Non-equilibrium Green's Function Method
• An Algorithm for Designing a Pattern Classifier by Using MDL Criterion
• Transverse-Electric and Transverse-Magnetic Mode Switching in Tensile-Strained Quantum-Well Lasers Induced by the Quantum-Confined Stark Effect
• Comparative Study on Drive Current of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n- mosfets based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation
• A Picture of Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs
• A quantum-corrected Monte Carlo study on quasi-ballistic transport in nanoscale MOSFETs
• Valence-Subband Structure of Strained Quantum Wells
• Analysis of Light Wave Propagation in In-Plane Switching Liquid-Crystal Devices by Finite-Difference Time-Domain Method(Organic Molecular Electronics)
• Analysis of Light Leakage in Liquid-Crystal Devices with In-Plane Switching Electrodes
• 量子井戸レーザにおけるキャリア量子輸送の利得に及ぼす影響
• Quantum Monte Carlo Device Simulation of Nano-Scaled SOI-MOSFETs
• Quantum Transport Modeling of Mesoscopic Devices: Application of Wigner Distribution Function
• Influence of Bipolar Quantum Transport on Gain Characteristics of Strained-MQW Lasers
• Evaluation of Phase Coherent Length of Hot Electrons Based on Wigner Distribution Function
• Spin Configuration of a Circular Quantum Dot in a Magnetic Field
• Current Noise in Semiconductor Quantum Dots
• Performance Comparisons of Bilayer Graphene and Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors under Ballistic Transport
• Guided Modes of Electron Wave in a Si-Quantum Wire
• Two-Dimensional Quantum Monte Carlo Device Simulation of Ultrasmall MOSFETs
• Influence of Source/Drain Parasitic Resistance on Device Performance of Ultrathin Body III-V Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• Comparisons of Performance Potentials of Si and InAs Nanowire MOSFETs Under Ballistic Transport
• 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Performance Analysis of Junctionless Transistors Based on Monte Carlo Simulation
• Theoretical Evaluation of Ballistic Electron Transport in Field-Effect Transistors with Semiconducting Graphene Channels
• Performance Comparison of InAs, InSb, and GaSb n-Channel Nanowire Metal--Oxide--Semiconductor Field-Effect Transistors in the Ballistic Transport Limit
• Quantum-Corrected Monte Carlo and Molecular Dynamics Simulation on Electron-Density-Dependent Velocity Saturation in Silicon Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
• Increased Subthreshold Current due to Source--Drain Direct Tunneling in Ultrashort-Channel III--V Metal--Oxide--Semiconductor Field-Effect Transistors
• Channel Length Scaling Effects on Device Performance of Junctionless Field-Effect Transistor

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク