量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション
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概要
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超LSIトランジスタの微細化の進展に伴い, 量子効果を取り入れたデバイスシミュレーションがますます重要になってきている。本稿では, 筆者が提案している量子力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーションの妥当性について検討した結果を報告する。MOS反転層における量子閉じ込め効果について, シュレディンガー方程式との比較を行い, 良い一致が得られることを示す。更に, チャネル長25nmのナノスケールMOSFETの2次元量子輸送シミュレーションへの適用例を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-21
著者
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
土屋 英昭
神戸大学 工学部 電気電子工学科
-
ウィンステッド ブライアン
イリノイ州立大学アーバナシャンペイン校 ベックマン研究所
-
ラバイオリ ウンベルト
イリノイ州立大学アーバナシャンペイン校 ベックマン研究所
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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