ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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量子補正モンテカルロシミュレーションを用いて, 極微細MOSFETの準バリスティック量子輸送特性について検討を行った.その結果, バリスティック輸送の影響は, チャネル長が20nm程度になると現れ始め, 準バリスティック輸送効果によりサブ10nmの領域まで電流駆動力が連続的に向上することが分かった.また, ソース端近傍だけでなく, チャネル全域の散乱がドレイン電流の決定に影響することが分かった。さらに, ナノスケールのチャネル長では, 従来とは異なり, バレー間フォノン散乱とプラズモン散乱が主要な散乱要因となることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-20
著者
-
小田 梓
神戸大学工学部
-
三好 旦六
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学工学部
-
藤井 一也
神戸大学工学部
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
Tsuchiya H
Toshiba Corp. Kawasaki Jpn
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
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