第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理計算法に基づいた電子状態解析を行った。さらに、半古典的バリスティックMOSFETモデルを用いて、バンド構造の変化がゲートオールアラウンド型nチャネルナノワイヤFETの電気特性に及ぼす影響を調べた。その結果、ゲート酸化膜が極限まで薄層化され量子キャパシタンス領域の動作に入ると、InAsナノワイヤFETの電流駆動力がSiナノワイヤFETよりも下回ることが分かった。また、InAsナノワイヤFETで期待される低消費電力化については、デバイス動作が量子キャパシタンス領域に移行したり、あるいは、有効質量の重い上位サブバンドに電子が分布し始めると、siナノワイヤFETに対する優位性が大幅に低下することを見出した。
- 2011-11-03
著者
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
小川 真人
神戸大学大学院工学研究科
-
Tsuchiya Hajime
Department Of Polymer Science And Engineering Faculty Of Textile Science Kyoto Institute Of Technolo
-
木場 隼介
神戸大学大学院工学研究科
-
滝口 直也
神戸大学大学院工学研究科
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科:jst Crest
-
土屋 英昭
神戸大学大学院工学研究科
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