トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
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概要
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n型シリコントンネルMIS型太陽電池を一次元デバイスシミュレータによって解析した。界面絶縁薄膜層の厚みの増加に伴う最大出力電力の劣化は、界面層厚の増加による直接的な表面ポテンシャルの低下と同時に、界面絶縁層のトンネル確率の低下に付随する半導体表面付近での正孔蓄積による表面ポテンシャルの低下の両方の効果によるものであると予測される。この表面ポテンシャルの低下で擬似中性領域中への過度の少数キャリア注入がおこり、擬似中性領域中で光生成された少数キャリアの表面への輸送が妨げられるとともに正孔の暗電流成分が増加する。結果的に、界面絶縁層の厚みがある値を超えると、トンネルMISセルは"凹型"の光照射電流電圧特性を示すようになるため、急激に最大出力電力が劣化する。シミュレーションでは、界面絶縁層ー半導体界面の準位密度及び金属の仕事関数の変化に対するセル特性の振る舞いも明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-21
著者
-
矢野 浩司
山梨大学・院・医工
-
春日 正伸
山梨大学・院・医工
-
春日 正伸
山梨大学工学部
-
矢野 浩司
山梨大学工学部
-
清水 東
山梨大学
-
篠田 茂
山梨大学
-
清水 東
山梨大学工学部電気電子システム工学科
-
篠田 茂
山梨大学工学部電気電子システム工学科
-
宇佐見 定行
山梨大学工学部電気電子システム工学科
-
小池 淳
山梨大学工学部電気電子システム工学科
-
清水 東
山梨大学工学部
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