光MOVPE法によるZnO/サファイアの気相成長
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概要
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In the growth of zinc oxide films on sapphire by atmospheric metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using diethylzinc and water vapor as source materials, light irradiation with mercury lamp was found to improve crystal quality under low temperature condition. Under high temperature condition, however, the light irradiation degraded the crystal quality of the layers. The study of the irradiation effect on the quality and the surface morphology of films by varying incident light orientation, irradiation timing and the light sources revealed the difference in two temperature regions. Under low temperature, photo-induced surface reactions including adatom migration improve the crystal quality. Under high temperature, photoassisted thermal vapor phase reactions prevail in making polycrystalline films.
- 山梨大学の論文
著者
-
春日 正伸
山梨大学工学部
-
春日 正伸
山梨大学工学部電子情報工学科
-
山田 康久
山梨大学工学部電子情報工学科
-
深澤 永考
山梨大学工学部電子情報工学科
-
峰[ギシ] 一典
山梨大学工学部電子情報工学科
-
志村 一誠
山梨大学工学部電子情報工学科
-
峰 一典
山梨大学工学部電子情報工学科
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