昇華法によるセレン単結晶の育成とその電気的性質
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概要
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Large single crystals of trigonal selenium are grown by sublimation method in which the temperature profile for the nucleation process is different from that for the growth process. The shapes and the quality of crystals are also investigated as functions of temperature and temperature gradient of the growth chamber. The conductivity along the C-axis of the grown crystals are measured for various intensity of applied electric field, illumination and temperature. Both the hole concentration and the hole mobility can be explained by a model based on some kinds of trapping center.
- 山梨大学の論文
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