02aB06 ZnMOPDを原料とするZnOのMOCVD(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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A new precursor, ZnMOPD, and water vapor were used to form zinc oxide films by MOCVD. On (0001) sapphire substrate ZnO films with (0001) orientation were grown at 500℃.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
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