CdTe/SapphireのHot Wall Epitaxyにおける熱処理効果 : 気相成長I
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概要
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CdTe(111) layers were grown on sapphire(0001) substrates by hot wall epitaxy. Substrates were etched in solution (H_2SO_4+H_3PO_4 ) at 300℃ and were thermally cleaned at 400, 500 and 600℃ for 30 min in vacuum or H_2 atmosphere. X-ray djJfraction C(RD) and back-reflection Laue pattern of layers indicate that highly oriented CdTe layers become more single-crystal like by thermal cleaning of substrates.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
矢野 浩司
山梨大学・院・医工
-
春日 正伸
山梨大学・院・医工
-
春日 正伸
山梨大大学院
-
春日 正伸
山梨大・工
-
矢野 浩司
山梨大・工
-
清水 東
山梨大学
-
清水 東
山梨大・工・電気電子
-
清水 和博
山梨大・工・電気電子
-
清水 東
山梨大学工学部
-
清水 和博
山梨大・工
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