徐冷法によるIn_1-_x_Ga_xP単結晶の成長
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概要
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In_<1-x>Ga_xP crystals were grown using a slow cooling method, and liquidus isotherms and isoconcentration curves in In-rich corner of the In-Ga-P ternary phase diagram were obtained experimentally. In-Ga-P ternary phase diagram has also been calculated based on the regular solution model. The calculated isothermal liquidus lines are found to be in good agreement with the experimental results. The calculated isoconcentration lines, however, differ from the experimental results, because the composition of synthesized crystal is not homogeneous. When atom fraction Ga/P in liquid is larger than 1.3,crystals obtained have the composition close to GaP though they are grown from In-rich solution.
- 山梨大学の論文
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