シリコン超階段接合の降伏電圧の厳密解
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The avalanche breakdown voltage of a silicon hyperabrupt junction diode is calculated by using unequal ionization rates for electrons and holes, and shown graphically as a function of L_e for different values of N_0 and N_b. These parameters characterize the impurity profile in the diode. As the characterstic length L_e increases, the breakdown voltage decreases abruptly at the critical point L_c, and the L_c varies with the impurity concentration N_0 at x=0. The breakdown voltages of diodes with L_e extremely shorter or longer than L_c, can be estimated from breakdown voltages of abrupt junctions.
- 山梨大学の論文
著者
関連論文
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- p-ZnO単結晶膜の気相成長(III) : 気相成長I
- CdTe/SapphireのHot Wall Epitaxyにおける熱処理効果 : 気相成長I
- ソーラーカーの試作
- Nesa膜による太陽熱エネルギーの封じ込め
- SnO_2-nSi太陽電池の酸化温度・面方位依存性
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- ドリフトダイオードのスイッチ特性
- シリコン超階段接合の降伏電圧の実験的検討
- 均一な組成をもつIn_1_-_xGa_xP単結晶
- 徐冷法によるIn_1-_x_Ga_xP単結晶の成長
- ダイオードのスイッチ特性に及ぼすドリフト電界の効果(補遺)
- 二重拡散法によるシリコン超階段接合ダイオード
- ダイオードのスイッチ特性に及ぼすドリフト電界の効果
- GaAsダイオードの構造とレーザー発光特性の関係
- X線トポグラフィによるSiおよびGaAsの転位の観測
- 拡散形GaAsスイッチダイオード
- 銅をドープしたゲルマニウムエサキダイオードの過剰電流
- 超階段接合におけるツェナ降伏電圧
- エサキダイオードの静特性直視装置
- 超階段形接合可変容量ダイオードの耐圧
- GaAs on Ge太陽電池に関する研究
- シリコン超階段接合ダイオードの直列抵抗
- シリコン超階段接合の降伏電圧の厳密解
- GaAs/Geタンデム型太陽電池に関する研究
- 10)ZnO緑色発光ダイオード(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- ZnO発光ダイオード
- 結晶の沿面成長機構における不純物の効果