X線トポグラフィによるSiおよびGaAsの転位の観測
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概要
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In the course of investigating the effect of dislocation in the crystal on characteristics of semiconductor devices, X-ray topograph of dislocation is taken for Si and GaAs single crystals. The photograph of dislocation in Si is taken with good contrast, and three dimensional distribution of dislocations in sample is revealed by the stereomicrograph and the tomogram. The dislocation patterns in GaAs appear a pair of black and white line. It seems that this is caused by difference of atomic structure factors of Ga and As. Semiconductor devices could be made using the crystal which is taken X-ray topograph by this method. Therefore, the effect of dislocation on the device characteristics would be found.
- 山梨大学の論文
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