CuGaInS欠損カルコパイライトバルク結晶の成長 : バルク成長V
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概要
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CuGaInS defect chalcopyrite bulk crystals were grown by the solution method under controlled S vapor pressure. Composition of grown crystals varied from Cu(Ga,In)S_2 to Cu(Ga,In)_<4.6>S_<7.7> along the binary Cu(Ga,In)S_2 -(Ga,In)_2S_3 system.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
鍋谷 暢一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
加藤 孝正
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
山梨大学工学部
-
鍋谷 暢一
山梨大学工学部
-
加藤 孝正
山梨大学工学部電気電子システム工学科
-
石原 裕次郎
山梨大学工学部
-
木内 敏晴
山梨大学工学部
-
加藤 孝正
山梨大学工学部
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