Excition Luminescences in In_<1-x>Ga_xP with Indirect Band Structure
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Photoluminescence processes in In_<1-x>Ga_xP with indirect band structure have been studied at 77K. In Te-doped samples, emissions due to Te-bound exciton and free excitons with its phonon replica were observed. When nitrogen was incorporated as an isoelectronic impurity, emissions due to nitrogen isoelectronic traps (well known A-line and newly appeared A_0 band) were observed. The variations of each exciton peak energy and the spectral shape with the alloy composition were examined.
- 山梨大学の論文
著者
-
松本 俊
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
加藤 孝正
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
加藤 孝正
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Faculty of Engineering, Yamanashi Univers
-
松本 俊
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Faculty of Engineering, Yamanashi Univers
関連論文
- 02aB05 GaAs(001)基板上へのγ-In_2Se_3のMBE成長(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 18pYG-11 MnSe/ZnSe多層膜半導体超格子系のラマン散乱
- 29pTC-13 Mm Te/Zn Te多層膜半導体超格子系の素励起と磁性
- 24aL-2 MnTe/ZnTe半導体超格子系のラマン散乱II
- 26aYC-2 MnTe/ZnTe半導体超格子系のラマン散乱
- 17aA06 PドープCuInS_2バルク結晶の溶液成長(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 25aB08 GaAs基板上へのZnOのプラズマMBE成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25pB03 高格子不整合4元混晶ZnSSeOにおけるVI族組成制御と歪エネルギー(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC02 GaAs(001)基板上へのGaSeのMBE成長とその表面形態(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- 光情報処理デバイス用ワイドギャップ半導体 : エピタキシャル成長と電子・光・磁気物性
- 24aL-3 ラマン散乱によるCdSe/ZnSe半導体超格子のインタフェースモードの観測
- 23aB9 微傾斜GaAs基板上に成長するZnSeのRHEED観察(エピタキシャル成長II)
- 29p-ZE-15 [(CdSe)_n/(ZnSe)_n]_m半導体超格子系のラマン散乱
- CuGaInS欠損カルコパイライトバルク結晶の成長 : バルク成長V
- 電気電子システム工学科における半導体製作実験 -デバイス設計、製作、評価の一貫教育-
- Excition Luminescences in In_Ga_xP with Indirect Band Structure
- ZnCdSe/ZnSe SQW構造の評価
- ZnCdSe/ZnSe SQW構造の評価
- カソードルミネッセンス測定による半導体エピタキシャル層膜厚の見積もり : 気相成長IV
- GaP基板上へのIn_1_-_xGa_xPの液相エピタキシャル成長
- ZnSe系ヘテロエピタキシャル結晶の格子歪と界面特性(バルク結晶の成長(II))
- 青色レーザ用半導体に関する研究
- 多元化合物半導体の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 多元系材料研究への期待
- 静電スプレー法による太陽電池用薄膜の作製
- 27pXP-7 MnSe/ZnSe多層膜半導体超格子系のラマン散乱と磁性(27pXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))