25aC02 GaAs(001)基板上へのGaSeのMBE成長とその表面形態(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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GaSe films were grown on GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy. We studied the growth condition of the GaSe and the relation between surface morphology of the GaSe and the growth condition. Ga_2Se_3 was grown under high VI/III ratios and high growth temperatures.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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鍋谷 暢一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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加藤 孝正
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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鍋谷 暢一
山梨大学医学工学総合研究部
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松本 俊
山梨大学医学工学総合研究部
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加藤 孝正
山梨大学医学工学総合研究部
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岡辺 佳子
山梨大学医学工学総合研究部
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沖 秀太
山梨大学医学工学総合研究部
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