17aA06 PドープCuInS_2バルク結晶の溶液成長(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Phosphorous-doped CuInS_2 bulk crystals were grown by the temperature difference method under controlled S vapor pressure. InP was used as a p-type dopant. Grown crystals showed p-type conductivity in S-poor alloy composition region. We report some electrical properties, mobility and carrier concentration, and PL spectra of P-doped CuInS_2.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
山口 浩司
山梨大学医学工学総合研究部
-
鍋谷 暢一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
加藤 孝正
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
中村 剛
山梨大学医学工学総合研究部
-
鍋谷 暢一
山梨大学医学工学総合研究部
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松本 俊
山梨大学医学工学総合研究部
-
加藤 孝正
山梨大学医学工学総合研究部
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