25aB08 GaAs基板上へのZnOのプラズマMBE成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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ZnO layers were grown on GaAs(111)B substrates by plasma assisted MBE. The c axis of ZnO was nearly perpendicular to (111) plane of GaAs, and the angle between the c axis and the [111] direction was determined by reciprocal lattice mapping. Effects of O/Zn beam flux ratio on the properties of grown layers were also studied.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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鍋谷 暢一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
加藤 孝正
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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鍋谷 暢一
山梨大学医学工学総合研究部
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松本 俊
山梨大学医学工学総合研究部
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加藤 孝正
山梨大学医学工学総合研究部
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西井 昭人
山梨大学医学工学総合研究部
-
西村 一人
山梨大学医学工学総合研究部
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