25pB03 高格子不整合4元混晶ZnSSeOにおけるVI族組成制御と歪エネルギー(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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ZnSSeO quaternary alloy was grown on GaP and GaAs substrates by MBE and controllability of group VI composition was investigated. O composition was increased by reducing S and Se source temperatures. The maximum O composition of more than 10% was achieved without phase separation regardless of large difference in bond length among ZnS, ZnSe and ZnO.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
伊東 祐一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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鍋谷 暢一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
松本 俊
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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加藤 孝正
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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上澤 一暢
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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