矢野 浩司 | 山梨大学・院・医工

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概要

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関連著者

• 矢野 浩司

  山梨大学・院・医工

• 春日 正伸

  山梨大学・院・医工

• 清水 東

  山梨大学

• 清水 東

  山梨大学工学部

• 春日 正伸

  山梨大学工学部

• 春日 正伸

  山梨大大学院

• 篠田 茂

  山梨大学

• 矢野 浩司

  山梨大・工

• 矢野 浩司

  山梨大学工学部

• 廣嶋 綱紀

  山梨大大学院

• 春日 正伸

  山梨大・工

• 廣嶋 綱紀

  山梨大・工

• 清水 東

  山梨大学工学部電気電子システム工学科

• 篠田 茂

  山梨大学工学部電気電子システム工学科

• 宇佐見 定行

  山梨大学工学部電気電子システム工学科

• 小池 淳

  山梨大学工学部電気電子システム工学科

• 廣嶋 綱紀

  山梨大学工学部

• 高野 鉄平

  山梨大大学院

• 清水 東

  山梨大・工・電気電子

• 矢野 浩司

  山梨大学・院・医学工学総合研究部

• 古屋 雅章

  山梨大学・院・医工

• 岸尾 光二

  東大大学院・工

• 醍醐 祥人

  山梨大学電子情報工学科清水研究室

• 岸尾 光二

  東大大学院

• 秋山 周哲

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 岸尾 光二

  東大院工

• 原田 昌幸

  山梨大・工

• 矢野 浩司

  山梨大学大学院

• 秋山 周哲

  山梨大大学院

• 矢野 浩司

  山梨大大学院

• 小川 直久

  北海道工大

• 春日 正伸

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 高野 鉄平

  山梨大院医工

• 秋山 周哲

  山梨大院医工

• 春日 正伸

  山梨大院医工

• 廣嶋 綱紀

  山梨大院医工

• 矢野 浩司

  山梨大院医工

• 高野 鉄平

  山梨大・工

• 五十嵐 義也

  山梨大・工

• 家田 友則

  山梨大・工

• 村上 泰樹

  山梨大・工

• 峰岸 一典

  山梨大・工・電気電子

• 清水 和博

  山梨大・工・電気電子

• 清水 東

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 畠山 茂

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 杉田 早苗

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 篠田 茂

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 醍醐 祥人

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 藤原 泰

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 矢野 浩司

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 春日 正伸

  Faculty of Engineering, Yamanashi University

• 清水 東

  山梨大学電子情報工学科清水研究室

• 春日 正伸

  山梨大学電子情報工学科清水研究室

• 矢野 浩司

  山梨大学電子情報工学科清水研究室

• 花井 智

  山梨大学・院・医学工学総合研究部

• 丸山 諒

  山梨大学・院・医学工学総合研究部

• 矢野 浩司

  国立大学法人山梨大学 大学院医学工学総合研究部

• 藤原 泰

  山梨大学工学部

• 小川 直久

  北海道工業大学

• 畠山 茂

  Faculty Of Engineering Yamanashi University

• 峰岸 一典

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 清水 和博

  山梨大・工

• 杉田 早苗

  Faculty Of Engineering Yamanashi University

• 春日 正伸

  山梨大 大学院

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著作論文

• 面方位依存性エッチングを用いた溝型静電誘導整流ダイオードの試作
• C-11-5 横型MOS静電誘導トランジスタの高周波特性のシミュレーション(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
• 横型MOS-SITの高周波性能のシミュレーション (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
• 17pB14 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(IV)(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• 静電誘導整流ダイオードのドリフト層厚みの効果
• 25pB02 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(III)(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
• SiC静電誘導トランジスタ構造を用いたゲートアシスト付整流デバイスの特性
• 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(II)(半導体薄膜・表面)
• 強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長 : エピキタシャル成長IV
• 半導体 : 結晶成長とデバイス作製
• 横型SOI静電誘導型整流ダイオード (第12回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
• トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
• p-ZnO単結晶膜の気相成長(III) : 気相成長I
• CdTe/SapphireのHot Wall Epitaxyにおける熱処理効果 : 気相成長I
• ソーラーカーの試作
• Nesa膜による太陽熱エネルギーの封じ込め
• SnO_2-nSi太陽電池の酸化温度・面方位依存性
• トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
• トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
• トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション

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