静電誘導整流ダイオードのドリフト層厚みの効果
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概要
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Impacts of drift-region thickness of the static induction rectifier on its electrical characteristics were investigated by semiconductor simulations. The decrease of the drift-region thickness, which changes the carrier distribution during the on-state from the pin-like distribution to the BSIT-like one, reduces the stored charge on the anode side. Therefore, as the acceptor dosage in the channel region is decreased, the rectifier having the thin drift region operates with a high switching speed and low forward voltage drop. An oscillation phenomenon in a voltage waveform during the recovery process is related to the drift region thickness.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2004-09-01
著者
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