強磁場による水溶媒ディスコチック色素分子分散系 : (Discotic Dye Dispersion System, DDDS)吸収異方性薄膜の形成
スポンサーリンク
概要
著者
-
春日 正伸
山梨大大学院
-
廣嶋 綱紀
山梨大大学院
-
廣嶋 綱紀
山梨大・工
-
春日 正伸
山梨大学工学部
-
廣嶋 綱紀
山梨大学工学部
-
廣嶋 綱紀
山梨大学工学部電子情報工学科
-
佐藤 克昌
(株)エー・アール・アイ
関連論文
- 17pB14 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(IV)(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 25pB02 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(III)(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(II)(半導体薄膜・表面)
- 強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長 : エピキタシャル成長IV
- 半導体 : 結晶成長とデバイス作製
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- p-ZnO単結晶膜の気相成長(III) : 気相成長I
- CdTe/SapphireのHot Wall Epitaxyにおける熱処理効果 : 気相成長I
- 270ﾟツイストセルの分子配列モデル
- 3)非対称プレティルトをもつN^*液晶セルの電気光学特性(情報ディスプレイ研究会)
- 1D02 N*液晶セルの分子配列組織に及ぼす界面の効果 (III)
- 1D115 N^*液晶セルの分子配列組織に及ぼす界面の効果
- 電気電子システム工学科における半導体製作実験 -デバイス設計、製作、評価の一貫教育-
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- 3D06 磁界印加表面吸着法における界面配向に及ぼすポリマー鎖の効果 (II)
- UV光表面改質ポリマー膜の磁界印加表面吸着配向特性
- 3B08 高分子微細片分散系液晶の光散乱特性
- ZnO発光ダイオード
- PC01 陽極酸化ポーラスアルミナ膜の液晶分子配向特性 (III)(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 3A08 高分子膜の液晶分子配向特性に及ぼす表面改質の効果 (III)(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 3A07 陽極酸化ポーラスアルミナ膜の液晶分子配向特性 (II)(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 1A12 ネマティック液晶マイクロカプセルの形成と光学素子への応用の検討(トピカルセッション-エレクトリックペーパーに向けての関連技術-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA06 高分子膜の液晶分子配向特性に及ぼす表面改質の効果(2004年日本液晶学会討論会)
- 強磁場による水溶媒ディスコチック色素分子分散系 : (Discotic Dye Dispersion System, DDDS)吸収異方性薄膜の形成
- 3A04 微粒子混入系液晶セルの光散乱特性
- 2C13 TN型セルの応答特性に対するピッチとセルギャップの寄与
- 1C10 shearingによる液晶分子配向処理 (II)
- 2PB02 shearingによる液晶分子配向におけるプレティルト発現
- 1A17 溶媒蒸発型磁界印加表面吸着法による液晶分子配向特性
- 1A08 高分子膜の表面形状と液晶分子配向特性 (II)
- 3G617 磁界印加表面吸着法による液晶分子配向特性 (IV)
- 3G608 高分子膜の表面形状と液晶分子配向特性
- 1D01 磁界印加表面吸着法による液晶分子配向特性 (II)
- 3F102 表面吸着による液晶分子配向(IV)
- 1L302 表面吸着による液晶分子配向(II)
- 3A03 交叉型強誘電性液晶セルの配向特性
- 1N29 SiO回転斜方蒸着膜におけるティルト角の温度依存性
- 2A11 磁場による機能性高分子薄膜の形成
- 放談会との出会い(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- ファインマン師の墓に参る
- PC02 磁場により形成された配向性色素分子膜上の液晶分子配向(ディスプレイ)
- 山梨のリフレッシュ理科教室 : 音の世界で遊ぼう
- 強磁場中の導体の落下運動に関する考察
- CdTeホモエピタキシーにおける特異面 : エピタキシャル成長IV
- 磁場内で運動する導体に誘起される電流の測定 : バルク成長II
- 21世紀の結晶成長の課題 : 結晶成長いろいろ
- 二量体生成による双晶発生
- 融液成長における磁場効果の考察
- 謎解きと科学者の役割
- ZnO/サファイアの光MOCVD(II) : 薄膜成長I
- CdTeホモエピタキシーの双晶形成に対するステップ長と過飽和度の効果II : 成長界面I
- 失敗は成功の母
- 六方晶系における面と方向の表示方法
- 27pC10 CdTe/サファイアのホットウォールエピタキシーにおける格子歪み(気相成長IV)
- Hot Wall Epitaxy法によるCdTe on Sapphireの薄膜成長 : エピタキシーII
- 二相共存系を利用したハイコンプライアンスキャビネット
- 6)TN-LCDの視野角特性に及ぼす配向処理の効果(情報ディスプレイ研究会)
- 1D15 電圧印加により形成された光散乱性N^*液晶組織
- 1L308 高プレティルト界面セルにおけるフォーカルコニック組織(II)
- 2B19 有機ラビング膜の液晶分子配向特性
- 5)SiO回転斜方蒸着膜の強誘電性液晶分子配向特性(画像表示研究会)
- SiO回転斜方蒸着膜の強誘電性液晶分子配向特性
- 1D319 有機蒸着膜による液晶分子配向 (II)
- 1連F12 SiO回転斜方蒸着膜の強誘電性液晶分子配向特性
- 1N30 無機物の斜方蒸着膜の表面構造と液晶分子配向
- 13A01 SiO回転斜方蒸着膜上の液晶配向特異点
- 2F23 SiO蒸着法における低ティルト角液晶配向(II)
- 2F22 液晶配向用SiO斜方蒸着膜のSEM観察および計算機シミュレーション(II)
- 4V13 SiO回転蒸着膜による液晶分子配向(第三報)
- 4V12 液晶配向組織に及ぼす界面tiltの効果
- 4U17 SiO回転蒸着膜による液晶分子配向
- 1R15 SiO斜方蒸着膜によるhomeotropic配向処理(II)
- 1Q21 SiO斜方蒸着膜の蒸着条件と液晶分子配向
- 1Q13 270°ツイストセルの諸特性(その二)
- 2S15 SiO斜方蒸着膜厚と液晶分子配向
- 2S12 ねじれ構造をもつネマチック系液晶セル
- 27aC04 機能性セラミック薄膜の水溶液からの形成方法(機能性結晶(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aC05 機能性セラミック薄膜の組成分析(機能性結晶(3),第34回結晶成長国内会議)
- 02aB06 ZnMOPDを原料とするZnOのMOCVD(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- p型酸化亜鉛(ZnO)結晶の成長 (特集 多様な電子機能をもつ酸化亜鉛の新展開)
- p-ZnO 単結晶膜の気相成長 (II) : 薄膜
- p-ZnO単結晶膜の気相成長 : 気相成長II
- 磁場中で運動する導体の電流分布測定II : 融液成長II
- 2A01 蓄積型液晶による超音波可視化表示の感度とP/L比との関係
- 室温動作のネマチック液晶の過渡応答について
- 『結晶成長』, 後藤芳彦著, 内田老鶴圃, 2003年3月刊, A5判, 196頁, 定価(本体)3200円, ISBN4-7536-5619-5
- 結晶成長講習会のあゆみ(日本給晶成長学会創立20周年記念特集)
- CdTe/サファイアのヘテロエピタキシ- (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 特集「ヘテロエピタキシー機構」によせて(ヘテロエピタキシー機構)
- 「結晶成長の基礎と実際」(第1回結晶成長講習会報告)(閑話休題)
- コメント(閑話休題)
- 第二回韓国結晶成長学会(KACG-2)討論会に参加して
- 会計始末記(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 28a-ZG-3 CdTe気相エピタキシーにおける単結晶と双晶の生成条件
- 27p-ZG-1 結晶成長における集団的ふるまい
- 減圧昇華法によるCdTeのエピタキシャル成長 : 気相成長
- 研究大型プロジェクト
- ZnO単結晶膜の気相成長