Si-H-I系の平衡とSiの気相成長速度
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The gas phase composition and the growth rate of silicon was calculated as a function of mole fraction SiI_4 input and temperature for the epitaxial silicon deposition process by the hydrogen reduction of SiI_4. The calculation was made on the basis of quasiequilibrium model considering all the species as possible and using strict formulae. In contrast with the case of SiCl_4-H_2 system a considerable concentration of iodine was found to exist in the form of I or I_2 suggesting the large effect of decomposition and the lack of vapor etching. The experimental growth rate agrees very well with the theoretical curve rather than those estimated so far. The results can also be applied to general Si-H-I system, for instance, closed space process or any process employing various source materials in the same system.
- 山梨大学の論文
著者
関連論文
- 25pB02 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(III)(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(II)(半導体薄膜・表面)
- 強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長 : エピキタシャル成長IV
- 半導体 : 結晶成長とデバイス作製
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- ZnO発光ダイオード
- 強磁場による水溶媒ディスコチック色素分子分散系 : (Discotic Dye Dispersion System, DDDS)吸収異方性薄膜の形成
- 2A11 磁場による機能性高分子薄膜の形成
- 放談会との出会い(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- ファインマン師の墓に参る
- PC02 磁場により形成された配向性色素分子膜上の液晶分子配向(ディスプレイ)
- 山梨のリフレッシュ理科教室 : 音の世界で遊ぼう
- 強磁場中の導体の落下運動に関する考察
- CdTeホモエピタキシーにおける特異面 : エピタキシャル成長IV
- 磁場内で運動する導体に誘起される電流の測定 : バルク成長II
- 21世紀の結晶成長の課題 : 結晶成長いろいろ
- 二量体生成による双晶発生
- 融液成長における磁場効果の考察
- 謎解きと科学者の役割
- 失敗は成功の母
- 六方晶系における面と方向の表示方法
- 二相共存系を利用したハイコンプライアンスキャビネット
- 光MOVPE法によるZnO/サファイアの気相成長
- Si-H-I系の平衡とSiの気相成長速度
- SiI_4によるSiのEpitaxial Growthについての熱力学的考察 : 結晶成長
- 27aC04 機能性セラミック薄膜の水溶液からの形成方法(機能性結晶(3),第34回結晶成長国内会議)
- 27aC05 機能性セラミック薄膜の組成分析(機能性結晶(3),第34回結晶成長国内会議)
- 02aB06 ZnMOPDを原料とするZnOのMOCVD(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- p型酸化亜鉛(ZnO)結晶の成長 (特集 多様な電子機能をもつ酸化亜鉛の新展開)
- ZnO/サファイアの気相成長におけるエピタキシャル関係
- Zn_3P_2の合成と気相ブリッジマン法による結晶成長
- 『結晶成長』, 後藤芳彦著, 内田老鶴圃, 2003年3月刊, A5判, 196頁, 定価(本体)3200円, ISBN4-7536-5619-5
- 特集「ヘテロエピタキシー機構」によせて(ヘテロエピタキシー機構)
- 「結晶成長の基礎と実際」(第1回結晶成長講習会報告)(閑話休題)
- コメント(閑話休題)
- 第二回韓国結晶成長学会(KACG-2)討論会に参加して
- 会計始末記(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 昇華法によるセレン単結晶の育成とその電気的性質
- 結晶の沿面成長機構における不純物の効果
- サファイア基板上へのCdTeのVPE成長