Characterization of Organic Static Induction Transistors with Nano-Gap Gate Fabricated by Electron Beam Lithography
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概要
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Organic static induction transistor (OSIT) is a promising driving device for the displays, since it shows high-speed, high-power and low-voltage operation. In this study, the OSIT with fine gate electrode patterned by electron beam exposure were fabricated. We investigated the basic electrical characteristics of copper phthalocyanine OSIT and compared with the calculation results obtained by two-dimensional (2D) device simulator. The experimental results show that the gate modulation improved by reducing the electrode gap and on/off current ratio depends on the gate gap.
- （社）電子情報通信学会の論文
- 2008-12-01
著者
-
中村 雅一
千葉大学大学院工学研究科
-
YAMAUCHI Hiroshi
Chiba University
-
IIZUKA Masaaki
Chiba University
-
NAKAMURA Masakazu
Chiba University
-
KUDO Kazuhiro
Chiba University
-
Kudo K
Chiba Univ. Chiba Jpn
-
Kudo Kazuhiro
Department Of Electronic And Mechanical Engineering Faculty Chiba University
-
Iizuka Masaaki
Faculty Of Education Chiba University
-
Nakamura Masakazu
Chiba Univ. Chiba Jpn
-
Kudo Kazuhiro
Chiba Univ. Chiba Jpn
-
Kudo Kazuhiro
Oitda Advanced Organic Device Project Chiba Laboratory
-
Kudo Kazuhiro
Department Of Electronics And Mechanical Engineering Faculty Of Engineering Chiba University
-
Iizuka Masaaki
Chiba Univ. Chiba Jpn
-
WATANABE Yasuyuki
Chiba University
-
Nakamura Minoru
Ntt Access Network Service Systems Laboratories Ntt Corporation
-
Nakamura Masakazu
Department Of Electronics And Mechanical Engineering Faculty Of Engineering Chiba University
-
Watanabe Yasuyuki
Center for Frontier Science, Chiba University
-
Yamauchi Hiroshi
Graduate School Of Engineering Chiba University
-
Watanabe Yasuyuki
Center For Frontier Science Chiba University
-
Kudo Kazuhiro
Chiba University Faculty Of Engineering
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