高周波電力を重畳した直流反応性スパッタ法によるTaAl-N薄膜の作製
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概要
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The electrical characteristics of TaAl-N thin films prepared by radio frequency (RF) superimposed and direct current (DC) reactive sputtering method was investigated. The properties of TaAl-N thin films were strongly influenced by the sputtering method. In the condition of Rn=30% [Rn=F(N2)/(F(N2)+F(Ar))], total pressure 0.3 Pa, the resistivity (at RT) was 3.1 Ωcm and the TCR (at 150°C) (the temperature coefficient of the resistivity) was (-) 13000 ppm/°C. The stresses of TaAl-N thin films were relieved.
- 日本真空協会の論文
- 2008-03-20
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