反応性スパッタ法により作製したTaAl-N薄膜の抵抗温度係数の窒素分圧依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The electric characteristics of TaAl-N thin film were investigated. The resistivity of the TaAl-N thin films, having been prepared by DC reactive sputtering of Ta and Al (8:2 area ratio) target in a gas mixture of argon and nitrogen, showed pressure-ratio dependence of nitrogen (PN2/Ptotal). The condition of high PN2/Ptotal was effective for fabricating the films, having a high TCR (the temperature coefficient of the resistivity). As a result, in the condition of PN2/Ptotal=75%, the TCR values were (-)35000 ppm/°C (at 100°C) and (-)25000 ppm/°C (at 200°C, resistivity).
- 日本真空協会の論文
- 2007-03-20
著者
-
岡野 夕紀子
(株)岡野製作所
-
田尻 修一
(株)岡野製作所
-
青園 隆司
(株)岡野製作所
-
岡本 昭夫
大阪府立産業技術総合研究所
-
小川 倉一
小川創造技術研究所
-
美馬 宏司
大阪市立大学
-
小川 倉一
(財)大阪産業振興機構
関連論文
- Ta-Al複合ターゲットを用いた反応性スパッタ法による窒化物薄膜の形成
- CrSiC 系複合薄膜による高性能力覚センサの試作
- 〔座談会〕 これからの真空科学とその応用
- CrSiC系複合薄膜による高性能力覚センサの試作
- ホローカソード方式イオンプレーティング法で作製したTi/TiN多層皮膜の耐食・耐摩耗性
- プラズマスパッタ法により作製したAu-C複合薄膜の電気化学式ガスセンサーへの検討
- Ar, CH_4 混合ガス中での低電圧スパッタにより作製した Au-CH 薄膜 (II)
- スパッタ法による電界放射カソードの試作
- スパッタ法による電界放射エミッタ用tipの形状制御の可能性
- Ar, CH_4混合ガス中での低電圧スパッタにより作製したAu-C薄膜
- マグネトロンスパッタ法で作製した窒化銅膜のヨウ素化
- TaAl-Nを用いた薄膜マイクロ真空センサの開発(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電子サイクロトロン共鳴プラズマの照射による酸化インジウム・スズ薄膜の表面改質
- 高周波電力を重畳した直流反応性スパッタ法によるTaAl-N薄膜の作製
- 反応性スパッタ法により作製したTaAl-N薄膜の抵抗温度係数の窒素分圧依存性
- ポリイミドフィルムへのTaAl-N薄膜の形成 : 広領域真空センサ応用への可能性の検討
- 磁性酸化鉄(III)微粒子を利用した微細藻類懸濁水の超伝導高勾配磁気分離
- Pd doped TiO_2薄膜の電気的特性に対するアンモニアの影響
- 四重極型質量分析計におけるパターン係数のイオン源による違い
- マグネトロンスパッタ法による酸化チタン膜の作製と光触媒膜への応用
- 高周波マグネトロンスパッタ法による窒化銅膜の作製
- 水素ガス雰囲気下でのPt極薄膜の電気伝導-膜厚の効果-
- マルチキャピラリーガス導入を用いた励起線源による窒化炭素薄膜の形成
- CrN_薄膜を用いたサーミスタボロメータ型赤外線センサの開発
- レーザアブレーション法を用いたLiNbO_3薄膜の作製
- マルチキャピラリーガス導入を用いた励起線源による炭素薄膜の形成
- 反応性マグネトロンスパッタ法によるポリカーボネート上へのAIN薄膜の低温形成
- Pt極薄膜の電気伝導へのガス種の影響
- 形状記憶合金薄膜アクチュエータの力学特性と制御
- 高周波マグネトロンスパッタリング法によるZr-Al-N薄膜の作製と評価
- TiNi薄膜マイクロアクチュエータの電流加熱結晶化熱処理法 : 可逆型TiNi薄膜の場合の変形特性と組織分析
- 反応性RFマグネトロンスパッタ法により作製したCr-N薄膜のRFパワー依存性
- 傾斜型対向ターゲット(V型カソード)による高速成膜へのアプローチ
- 低温・低ダメージプロセスによるインジウム-スズ酸化物(ITO)薄膜の作製
- 四重極型質量分析計のパターン係数のイオン源による違い
- 熱陰極電離真空計における電子運動について
- 熱陰極電離真空計の比感度計数(2) : 三極管型およびB-A型
- アルゴンプラズマエッチングを用いたフィールドエミッターの試作
- プラズマスパッタ法によるPt-C複合薄膜の作製と構造評価
- 高周波バイアスマグネトロンスパッタ装置
- アルゴン, メタン混合ガスプラズマ中でパルススパッタ法により作製した炭素薄膜
- フラーレン膜を用いたガスセンサ
- プロパルギルアミンモノマーを用いたプラズマ重合膜の作製
- スパッタ法により形成したAlN/Cu/AlN積層膜の電気・光学特性
- RF型マルチキャピラリ-イオン源の試作 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 超電導NbTi薄膜による磁気遮蔽効果 (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- 小型高性能力覚センサを用いたロールツーロールスパッタ装置用張力計測システムの試作
- 高周波マルチキャピラリーイオン源による酸素励起線の発生
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- W表面へ複合吸着したHg, NaIおよびI2の電界電子顕微鏡による研究
- アブストラクト
- マグネトロンスパッタ法による光干渉発色性繊維の作製
- 同時蒸着法によるテトラフルオロエチレンオリゴマー (TFEO) -Au複合膜の作製
- 小型高性能力覚センサを用いたロールツーロールスパッタ装置用張力計測システムの試作
- Nude Type Modified Extractor Gaugeの試作
- 新しいイオンゲージの基礎特性
- コバルト蒸着膜の磁気特性
- アブストラクト
- アブストラクト
- 軌道分離・非磁場型質量分析計の試作
- 軌道分離・非磁場型質量分析計
- 熱陰極電離真空計の比感度係数 (1) : 衝立型電離真空計
- かご型イオン源の原始クラッキングパターン
- 熱陰極電離真空計のX線限界改善法
- 長い円管導管を通過した分子流気体分子のフローパターン
- 真空計測
- 気相薄膜形成技術--応用編(第1回)低温プロセスによるITO薄膜形成技術
- 低エネルギー酸素イオンアシスト蒸着により作製したCu-O薄膜
- Cu蒸着時における低エネルギー酸素イオン照射効果
- Ti-B積層膜へのパルスイオンビーム照射効果
- 同時蒸着法によるポリエチレン-銀複合膜の作製
- RFマグネトロンスパッタ法により作製したCr-N薄膜
- 宇宙用ポリイミドとフッ素系高分子における複合宇宙環境誘起劣化 : 原子状酸素と紫外線の複合照射効果
- アブストラクト
- フッ化水素ガスセンサ用Pt-O薄膜電極の作製
- サーモバッフルに関する研究
- 電界偏向型質量分析計-2-
- 軌道型質量分析計の試作
- 走行時間形質量分析計
- RF型マルチキャピラリ-イオン源の試作 (第30回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- AlN/Ag/AlN ナノ積層化による低抵抗透明導電膜の作製
- AlN/Al/AlNナノ積層膜の作製と光学的特性