Improvement of Metal-Oxide Semiconductor Interface Characteristics in Complementary Metal-Oxide Semiconductor on Si(111) by Combination of Fluorine Implantation and Long-Time Hydrogen Annealing

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概要

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• 2006-02-25

著者

• KATO YOSHIKO

  Department of Bacteriology, Osaka City University Medical School

• TAKAO Hidekuni

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• SAWADA Kazuaki

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• ISHIDA Makoto

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Sawada K

  Shizuoka Univ. Hamamatsu

• Kato Yoshiko

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Ishida M

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

• Ishida Makoto

  Department Of Applied Chemistry & Biochemistry Faculty Of Engineering Kumamoto University

• Takao Hidekuni

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Sawada Kazuaki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology

• Sawada Kazuaki

  Department of Electric and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

• Takao Hidekuni

  Department of Electric and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology

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