Improvement of Metal-Oxide Semiconductor Interface Characteristics in Complementary Metal-Oxide Semiconductor on Si(111) by Combination of Fluorine Implantation and Long-Time Hydrogen Annealing
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-02-25
著者
-
KATO YOSHIKO
Department of Bacteriology, Osaka City University Medical School
-
TAKAO Hidekuni
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
SAWADA Kazuaki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
ISHIDA Makoto
Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Kato Yoshiko
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
Ishida Makoto
Department Of Applied Chemistry & Biochemistry Faculty Of Engineering Kumamoto University
-
Takao Hidekuni
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Sawada Kazuaki
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Sawada Kazuaki
Department of Electric and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
Takao Hidekuni
Department of Electric and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
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