小山 裕 | 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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概要
関連著者
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
上智大学
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田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
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財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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西澤 潤一
首都大学東京
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小山 裕
東北大院工
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科
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田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科
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須藤 建
半導体研究所
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佐々木 哲朗
財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所
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出崎 光
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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木村 智之
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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大野 武雄
東北大院工
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田邉 匡生
東北大院工
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木村 俊博
東北大院工
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東風谷 敏男
東北大院工
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渡邉 健太
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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木村 智之
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
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出先 光
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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田邉 匡生
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
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小山 裕
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
(財)半導体研究振興会半導体研究所
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ラガム スリニバサ
東北大学大学院工学研究科
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佐々木 哲朗
半導体研究所
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丹野 剛紀
半導体研究所
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西澤 潤一
(財)半導体研究振興会
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ラガム スリニバサ
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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斉藤 恭介
東北大学大学院工学研究科
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齊藤 恭介
東北大学工学研究科
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小山 裕
東北大学工学研究科
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西澤 潤一
岩手県立大学
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齊藤 恭介
東北大学大学院工学研究科
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野澤 圭
東北大学大学院工学研究科
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須藤 建
(財)半導体研究振興会半導体研究所
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須藤 健
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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菅井 麻希
東北大院工
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木村 智之
半導体研究所
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瀬尾 公一
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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須藤 健
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
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大野 武雄
東北大学大学院工学研究科
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須藤 建
(財)半導体研究振興会 半導体研究所
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倉林 徹
財団法人半導体研究振興会
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須藤 健
半導体研究所
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長谷川 裕
東北大工
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佐々木 哲朗
首都大学東京
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ラガム スリニバサ
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
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佐々木 哲朗
(財)半導体研究振興会半導体研究所
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木村 智之
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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佐々木 哲朗
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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西澤 潤一
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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李 禎
東北大学大学院工学研究科
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加賀谷 宗仁
東北大学大学院工学研究科
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真壁 浩樹
半導体研究振興会
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倉林 徹
半導体研究振興会
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斉藤 恭介
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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西澤 潤一
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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佐々木 哲朗
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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佐藤 翔太
東北大院工
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佐藤 史和
東北大院工
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剱持 敦志
東北大院工
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田邊 匡生
東北大院工
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安田 創
東北大院工
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安田 新
東北大院工
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高橋 八大
東北大院工
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須藤 建
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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小澤 祐市
東北大院工
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小山 裕
東北大学
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戸部 憲人
東北大院工
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東風谷 敏男
東北大学院
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小山 裕
東北大学院
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須藤 建
東北大学院
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須藤 建
東北大院工
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渡邉 健太
東北大学工学研究科
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大橋 隆宏
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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出先 光
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
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須藤 建
財団法人半導体研究振興会 半導体研究所
-
出先 光
東北大学工学研究科
著作論文
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- GaP コヒーレントテラヘルツ偏光分光測定によるポリエチレンの変形・劣化測定
- GaP導波路構造におけるテラヘルツ波発生の高効率化および偏光制御(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 半導体レーザー励起CWテラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaP導波路構造によるテラヘルツ波発生の高効率化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-14-19 半導体レーザ励起によるCWテラヘルツ波信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- C-14-18 THz帯GaPフォトニック結晶の作製と特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- GaPコヒーレントテラヘルツ偏光分光測定によるポリエチレンの変形・劣化測定
- 25aB04 InP液相成長による無転位ELO層形成(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生 (電子デバイス)
- テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用 (電子デバイス)
- 有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用 (電子デバイス)
- 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- 完全結晶の成長
- 液相成長InP(001),(111)A,B面上のラテラルグロースレート方位依存性(半導体結晶成長I)
- 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)
- 第1回半導体ポイントデフェクトとノンストイキオメトリ国際シンポジウム報告
- 差周波発生に基づくGaSe結晶からの1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生
- 完全結晶の成長(第33回結晶成長国内会議特別講演会)
- 差周波発生に基づくGaSe結晶からの1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生
- テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 紫外線感応樹脂を用いて形成した誘電体導波路を具備するGaP結晶からのテラヘルツ波発生高効率化 (電子デバイス)