西澤 潤一 | 上智大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
西澤 潤一
上智大学
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
首都大学東京
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
西澤 潤一
半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大院工
-
佐々木 哲朗
財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科
-
須藤 建
半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科
-
西澤 潤一
(財)半導体研究振興会半導体研究所
-
木村 智之
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
大野 武雄
東北大院工
-
田邉 匡生
東北大院工
-
木村 俊博
東北大院工
-
東風谷 敏男
東北大院工
-
西澤 潤一
(財)半導体研究振興会
-
木村 智之
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
-
西澤 潤一
岩手県立大学
-
須藤 建
(財)半導体研究振興会半導体研究所
-
ラガム スリニバサ
東北大学大学院工学研究科
-
佐々木 哲朗
半導体研究所
-
丹野 剛紀
半導体研究所
-
須藤 建
(財)半導体研究振興会 半導体研究所
-
ラガム スリニバサ
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
斉藤 恭介
東北大学大学院工学研究科
-
齊藤 恭介
東北大学工学研究科
-
倉林 徹
財団法人半導体研究振興会
-
齊藤 恭介
東北大学大学院工学研究科
-
野澤 圭
東北大学大学院工学研究科
-
佐々木 哲朗
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
須藤 健
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
菅井 麻希
東北大院工
-
木村 智之
半導体研究所
-
須藤 健
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
-
出崎 光
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
大野 武雄
東北大学大学院工学研究科
-
須藤 建
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
-
須藤 健
半導体研究所
-
長谷川 裕
東北大工
-
田邉 匡生
東北大学
-
佐々木 哲朗
首都大学東京
-
西澤 潤一
財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
ラガム スリニバサ
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
佐々木 哲朗
(財)半導体研究振興会半導体研究所
-
木村 智之
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
西澤 潤一
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
李 禎
東北大学大学院工学研究科
-
加賀谷 宗仁
東北大学大学院工学研究科
-
真壁 浩樹
半導体研究振興会
-
倉林 徹
半導体研究振興会
-
斉藤 恭介
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
西澤 潤一
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
佐々木 哲朗
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
佐藤 翔太
東北大院工
-
佐藤 史和
東北大院工
-
剱持 敦志
東北大院工
-
田邊 匡生
東北大院工
-
安田 創
東北大院工
-
安田 新
東北大院工
-
高橋 八大
東北大院工
-
小澤 祐市
東北大院工
-
小山 裕
東北大学
-
戸部 憲人
東北大院工
-
東風谷 敏男
東北大学院
-
小山 裕
東北大学院
-
須藤 建
東北大学院
-
出先 光
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会 半導体研究所
-
小山 裕
東北大学工学研究科
著作論文
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- 世界の先端を行くテラヘルツ波光源と分光応用
- GaP導波路構造におけるテラヘルツ波発生の高効率化および偏光制御(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ分光スペクトル測定による市販製剤の分析例
- 半導体レーザー励起CWテラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaP導波路構造によるテラヘルツ波発生の高効率化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-14-19 半導体レーザ励起によるCWテラヘルツ波信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- C-14-18 THz帯GaPフォトニック結晶の作製と特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--電子デバイス(TUNNETT)を用いたイメージング技術
- 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--GaPテラヘルツ信号発生装置による分光吸収測定技術
- 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 21aYF-7 半導体による周波数掃引テラヘルツ波発生と分光学への応用(領域8シンポジウム(主題 : テラヘルツ発振とその応用 : 固有ジョセフソン磁束系のダイナミックスの急展開,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 半導体光通信からテラヘルツ応用研究まで (第18回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 25aB04 InP液相成長による無転位ELO層形成(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- 半導体結晶を用いたテラヘルツ電磁波光源の開発とその応用
- 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- 完全結晶の成長
- 液相成長InP(001),(111)A,B面上のラテラルグロースレート方位依存性(半導体結晶成長I)
- 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)
- 完全結晶の成長(第33回結晶成長国内会議特別講演会)