01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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GaSe bulk crystal was grown by liquid phase temperature difference method. The crystalline structure and its optical properties were investigated by XRD and near-infrared spectroscopy, respectively. It is shown that the present grown GaSe has ε-polytype with polycrystalline phase.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
須藤 建
半導体研究所
-
西澤 潤一
首都大学東京
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
木村 智之
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大院工
-
小山 裕
東北大院工
-
佐藤 史和
東北大院工
-
木村 智之
半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
木村 智之
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
西澤 潤一
半導体研究所
-
田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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