25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)

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概要

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• The dislocation-free ELO layers were formed on InP(001) surface with L-shaped open seed area by using LPE method. When L-shaped open seed area was modified by rotation and facing, large sized ELO layers were obtained. Carrier scattering mechanisms in various kinds of ELO layers will be discussed in view of the dislocation scattering.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 須藤 建

  半導体研究所

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 小山 裕

  東北大院工

• 木村 俊博

  東北大院工

• 東風谷 敏男

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 西澤 潤一

  半導体研究所

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