西澤 潤一 | 半導体研究振興会

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概要

• 同名の論文著者
• 半導体研究振興会の論文著者

関連著者

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 西澤 潤一

  半導体研究所

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 小山 裕

  東北大院工

• 西澤 潤一

  首都大学東京

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 須藤 建

  半導体研究所

• 田邉 匡生

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 田邊 匡生

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科

• 大野 武雄

  東北大院工

• 田邉 匡生

  東北大院工

• 木村 俊博

  東北大院工

• 佐々木 哲朗

  財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所

• 佐々木 哲朗

  半導体研究所

• 丹野 剛紀

  半導体研究所

• 西澤 潤一

  東北大

• 倉林 徹

  財団法人半導体研究振興会

• 田邉 匡生

  東北大学大学院工学研究科

• 木村 智之

  東北大学大学院工学研究科,半導体研究所

• 菅井 麻希

  東北大院工

• 木村 智之

  半導体研究所

• 東風谷 敏男

  東北大院工

• 西澤 潤一

  (財)半導体研究振興会

• 木村 智之

  東北大学大学院工学研究科 半導体研究所

• 大野 武雄

  東北大学大学院工学研究科

• 西沢 潤一

  東北大学

• 澤井 高志

  岩手医科大学医学部病理学講座先進機能病理学分野

• 日高 建彦

  湘南工科大学

• 須藤 健

  半導体研究所

• 長谷川 裕

  東北大工

• 伊藤 弘昌

  理化学研究所フォトダイナミクスセンタ:東北大学電気通信研究所

• 平塚 明

  岩手県立大学総合政策学部

• 李 禎

  東北大学大学院工学研究科

• 加賀谷 宗仁

  東北大学大学院工学研究科

• 真壁 浩樹

  半導体研究振興会

• 倉林 徹

  半導体研究振興会

• ラガム スリニバサ

  東北大学大学院工学研究科

• 須藤 健

  東北大学大学院工学研究科,半導体研究所

• 佐藤 翔太

  東北大院工

• 佐藤 史和

  東北大院工

• 剱持 敦志

  東北大院工

• 田邊 匡生

  東北大院工

• 安田 創

  東北大院工

• 安田 新

  東北大院工

• 土岐 規仁

  岩手大学工学部

• 須藤 健

  東北大学大学院工学研究科 半導体研究所

• 高橋 八大

  東北大院工

• 渡辺 民朗

  岩手県立大学テラヘルツ応用研究所

• 倉林 徹

  岩手県立大学テラヘルツ応用研究所

• 菊地 紀江

  岩手県立大学テラヘルツ応用研究所

• 伊藤 弘昌

  理化学研究所

• 石川 明洋

  湘南工科大学

• 小城 絢一朗

  湘南工科大学

• 碇 智文

  理化学研究所フォトダイナミクスセンタ

• 石川 陽一

  理化学研究所フォトダイナミクスセンタ

• 南出 秦亜

  理化学研究所フォトダイナミクスセンタ

• 須藤 建

  東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻

• 土岐 規仁

  岩手大学工学部応用化学・生命工学科

• 平塚 明

  岩手県立大学 総合政策学部

• 小澤 祐市

  東北大院工

• 澤井 高志

  岩手医科大学

• 戸部 憲人

  東北大院工

• ラガム スリニバサ

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 澤井 高志

  岩手医科大学 医学部

• 碇 智文

  理化学研究所仙台 テラヘルツ光源研究チーム

• 日高 建彦

  湘南工科大

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著作論文

• サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-14-19 半導体レーザ励起によるCWテラヘルツ波信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
• 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
• 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
• 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
• 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• テラヘルツ波領域における生体材料の分光と画像解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• テラヘルツ中空導波路用なす型レンズ
• 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
• 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
• 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)

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