大野 武雄 | 東北大院工

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概要

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• 東北大院工の論文著者

関連著者

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 大野 武雄

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 西澤 潤一

  半導体研究所

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 須藤 建

  半導体研究所

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科

• 小山 裕

  東北大院工

• 大野 武雄

  東北大学大学院工学研究科

• 西澤 潤一

  首都大学東京

• 佐藤 翔太

  東北大院工

• 田邉 匡生

  東北大院工

• 田邉 匡生

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 須藤 建

  東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻

• 戸部 憲人

  東北大院工

• 田邊 匡生

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

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著作論文

• 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
• 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
• 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)

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